三星计划将NAND闪存行业提升到一个新的水平，该公司披露了其多达430层的第9代和第10代V-NAND解决方案。

三星正在生产多达430层的NAND闪存，作为其第10代V-NAND技术的一部分，并将于明年首次亮相

由于消费者需求疲软和库存水平高企，NAND闪存市场在过去连续几个季度从严峻的经济状况中迅速复苏。然而，现在我们已经经历过了，似乎创新层已经开始了，三星推出了一种相对高端的NAND类型，称为第9代V-NAND闪存。该类型的堆叠层数高达290层，为市场树立了新的基准。

韩国媒体报道称，三星计划在下个月发布其第9代NAND标准，很可能会接替上一代的236层堆叠。该行业似乎很可能被拖入“层堆叠”竞赛，到目前为止，三星看起来远远领先于SKHynix和Kioxia等竞争对手。有趣的是，这家韩国巨头还宣布了一款令人震惊的430层堆叠的NAND产品(第10代V-NAND)，预计将于明年推出。

三星最新第9代NAND工艺的另一个令人兴奋的方面是“双堆叠”技术，该技术侧重于通过多个通道孔挤压更多层。该技术利用电力来连接各个电池。钻孔技术不仅可以确保更高的互连效率，而且与传统的堆叠方法相比，该工艺的成本要低得多。

过去几个月，NAND产品的利用率急剧增加，主要是由于涉及人工智能推理的产品的使用，因为它们需要大量的高速存储。最终，这促使了未来的巨大需求，这将促进三星等NAND闪存生产商在这一领域的发展。