三星堆叠12层高性能HBM3E内存容量高达36GB

三星推出了下一代HBM3E内存解决方案，提供12-Hi堆栈，每个堆栈容量高达36GB。

三星推出12层堆栈HBM3E内存(每堆栈容量高达36GB)，满足AI领域不断增长的内存容量需求

新闻稿：三星电子今天宣布开发出HBM3E12H，这是业界首款12堆栈HBM3EDRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。

三星的HBM3E12H提供高达1,280GB/秒(GB/s)的历史高带宽和业界领先的36GB(GB)容量。相比8叠层HBM38H，这两方面都提升了50%以上。

HBM3E12H采用先进的热压非导电薄膜(TCNCF)，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将具有更多优势，特别是对于更高的堆叠，因为业界寻求减轻更薄带来的翘曲。三星不断降低其NCF材料的厚度，实现了业界最小的间隙(7微米(μm))，同时还消除了层间空隙。与HBM38H产品相比，这些努力使垂直密度提高了20%以上。

三星先进的TCNCF还通过在之间使用各种尺寸的凸块来提高HBM的热性能。在接合过程中，较小的凸块用于信号区域，而较大的凸块则放置在需要散热的位置。该方法还有助于提高产品产量。

随着人工智能应用呈指数级增长，HBM3E12H有望成为未来需要更多内存的系统的最佳解决方案。其更高的性能和容量尤其使客户能够更灵活地管理其资源并降低数据中心的总拥有成本(TCO)。用于AI应用时，预计与采用HBM38H相比，AI训练平均速度可提升34%，推理服务同时用户数可扩展11.5倍以上。