三星确认下一代HBM4内存实际上是Snowbolt

三星透露，预计今年其HBM产量将增加两倍。三星执行副总裁兼DRAM产品与技术团队负责人SangJoonHwang在Memcon2024的演讲中表示：“继已经量产的第三代HBM2E和第四代HBM3之后，我们计划在上半年大批量生产12层的第五代HBM和基于32千兆位的128GBDDR5产品。”

“通过这些产品，我们希望增强我们在人工智能时代高性能、大容量内存领域的地位。”

三星计划今年将HBM​​产量提高2.9倍，高于之前在CES2024上宣布的2.5倍预测。该公司还分享了一份详细介绍其未来HBM生产的路线图，预计到2026年HBM出货量将比2023年增长13.8倍。

三星利用Memcon2024展示了其HBM3E12H——业界首款12堆栈HBM3EDRAM——目前正在向客户提供样品。这将紧随美光的24GB8HHBM3E在未来几个月内投入量产。

据韩国经济日报报道，三星还谈到了HBM4和第六代HBM的计划，该公司已将其命名为“Snowbolt”。三星表示，它打算将缓冲(一种控制设备)应用于堆叠内存的底层，以提高效率。不过，它没有透露下一代HBM何时面世。

尽管三星是全球最大的内存制造商，但在HBM领域却落后于主要竞争对手SK海力士，这迫使三星不得不投入巨资来提高这一关键部件的产量，因为HBM凭借其卓越的处理速度，在日益激烈的人工智能竞赛中占据关键地位。